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1.伏安待性
图2.15是光敏二极管的伏安特性曲线。图中画出了三条特性曲线，曲线1为无光照时的特性；曲线2为中等光照时的特性；曲线3为强光照时的特性。
无光照时，光敏二极管的特性与普通二极管一样。
有光照时，光敏二极管的反向电流增大,特性曲线沿电流轴向下平移，光照越强，下移越大，下移幅度与光照强度成正比。由图还可看出，在入射光强一定吋，光敏二极管的反向电流是基本不变的，与反向电压无关，特性与电压轴平行。

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特性在第四象限时，它呈光电池特性。在PN结没有外加电压时.它是存在内电场的，方向从N区指向P区，当受到光照时将产生电子和空穴，在内电场作用下，电子被吸引到N区，空穴被吸引到P区，如果用导线或外接电阻连结PN结，将形成通过外电路的电流。由于它能向外电路提供能量（光能转为电能），故称为光电池。由于其产生电流的方向在PN结内部是由N区到P区的，故在外电路中是由P区通过外电路到N区的， 也是反向电流.

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2.光谱响应特性
前面已提到.不同材料对各种波长的入射光的响应是不同的。即光敏一极管对不同的波长有不同的灵敏度。硅光敏二极管的光谱响应波长为0.4〜1.1um，峰值波长为0.88〜0.94pm, 如图2.16所示.这恰好与呻化镓红外发光二极管的波长相重合,可得到较高的接收灵敏度。